抢攻DRAM市场商机，三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10奈米等级(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(Cell Data Sensing System)及「空气间隔」(Air Spacer)解决方案，以达更高效能、更低功耗，以及更小的体积。

抢攻DRAM市场商机，三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10奈米等级(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(Cell Data Sensing System)及「空气间隔」(Air Spacer)解决方案，以达更高效能、更低功耗，以及更小的体积。

本周，据韩联社报道，三星电子宣布开始使用第二代10nm工艺生产出了8Gb DDR4颗粒，这是继第一代10nm工艺生产后时隔两年的时间，技术上的再一次迭代。

据外媒报道，经过50年的发展，半导体市场仍然显得非常活跃，它在今年有望增长20%。随着高增长而来的是供应短缺，这就是DRAM和闪存价格为什么今年会上涨的原因。

进入2017年以来，在中国股市大环境并不理想的情况下，中国集成电路IC概念股却迎来的一波牛市行情。这其中又最具有代表性的是手机产业链感念股，包括京东方、欧菲光、比亚迪、舜宇光学等在股价上都实现了超翻倍行情，而汇顶科技也成长为全球指纹芯片龙头，并获得了国家队“大基金”的入股。

DRAM供不应求短期难解，全球DRAM制造龙头韩国三星半导体通知渠道商，计划明年第1季再调涨DRAM报价，涨幅3~5%，其中以行动式DRAM涨幅较大，这也说明三星在采取节制性增产下，仍不愿放弃持续拉升DRAM获利，推升集团获利表现，有助破除让近期市场担心三星可能会扩产，打乱DRAM产业秩序的疑虑。

今天，英特尔宣布将在印度班加罗尔投资1.78亿美元，新建一个最先进的设计和研发中心。该中心将坐落于英特尔44英亩的总部内，占地约62万平方英尺，负责芯片的设计和验证工作。