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华虹半导体第二代90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产来源：华虹半导体 发布日期：2017/12/27 点击：28912华虹半导体有限公司今天宣布其第二代90纳米嵌入式闪存 (90nm G2 eFlash) 工艺平台已成功实现量产，技术实力和竞争力再度加强。
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华虹半导体力推95纳米eNVM工艺平台 制胜8位MCU市场来源：华虹半导体 发布日期：2017/9/4 点击：31188全球领先的200mm纯晶圆代工厂——华虹半导体有限公司(“华虹半导体”或“公司”，连同其附属公司，统称“集团”，股份代号：1347.HK)今天宣佈，公司针对8位微控制器(Microcontroller Unit, MCU)市场，最新推出95纳米单绝缘栅非易失性嵌入式存储器(95纳米5V SG eNVM)工艺平台。在保证产品稳定性能的同时，95纳米5V SG eNVM工艺平台以其低功耗、低成本的优势，广受客户青睐。该平台现已成功量产，产品性能优异。
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